САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
им. проф. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА
ФАКУЛЬТЕТ  ВЕЧЕРНЕГО  И  ЗАОЧНОГО  ОБУЧЕНИЯ
Е.И. Бочаров
ЭЛЕКТРОНИКА
ПРОГРАММА, КОНТРОЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ
И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
200900, 201000, 201100 

  ЗАДАНИЕ  1                                                   
Задача 1.1
Дано: Схема  усилительного каскада на биполярном  транзисторе,      включенном    по  схеме   ОЭ,   приведена   на рис. 1,а.  Значения  элементов  схемы,   параметры  входного сигнала и  нагрузки, а также масштабные коэффициенты N и M приведены в таблице исходных данных. Внутреннее  сопротивление  генератора и  масштабный  коэффициентLдля  всех вариантов  равны RГ =10 кОм и  L = 4. Статические  характеристики  транзистора  приведены на рис. 2 и 3.
Задача 1.2
Дано: Схема  усилительного каскада  на биполярном  транзисторе,      включенном     по  схеме   ОЭ,   приведена на рис. 1,а. Значения  элементов  схемы, параметры  входного сигнала и  нагрузки, а также масштабные  коэффициенты  N и M  приведены  в таблице  исходных  данных. Внутреннее  сопротивление генератора  и  масштабный  коэффициент L для  всех вариантов  равны  RГ =10 кОм  и  L=4. Статические  характеристики транзистора  приведены  на рис. 2 и 3.
Требуется: Провести  аналитический  расчет усилительного каскада на основе малосигнальной схемы замещения транзистора и определить его основные параметры.
Задача 1.3
Дано: Схема   усилительного  каскада   на  полевом   транзисторе с управляющим  p-n-переходом,  включенном   по схеме  ОИ,  приведена   на  рис. 1,б. Значения  элементов схемы, параметры входного сигнала и  нагрузки,  а  также основные параметры  управляющей характеристики транзистора   приведены   в таблице  исходных  данных. Внутреннее сопротивление генератора и сопротивление  в цепи   затвора    для    всех   вариантов   равны    RГ =10 кОм  и  RЗ =1 МОм.
Требуется: Провести  аналитический  расчет  усилительного каскада и определить его основные параметры.
 ЗАДАНИЕ  2
Задача  2.1
Дано: Схема электронного ключа на биполярном транзисторе  приведена  на  рис. 4,а.  Значения  элементов  схемы  и масштабные    коэффициенты   N  и   M   представлены    в таблице исходных данных.  Масштабный коэффициент L=1для    всех   вариантов. Семейства   входных  и   выходных статических   характеристик    транзистора приведены   на рис. 2 и 3.
Требуется:1. Построить статическую передаточную характеристику ключа. 2. Определить основные параметры ключа: уровни  логических  нуля U0  и единицы U1,  логического  перепадаUЛ, минимальные  уровни  отпирающей  и  запирающей  помехU0П   и   U1П,   коэффициент  помехоустойчивости  КП. 3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.  
Задача  2.2
Дано: Схема  электронного ключа  на МДП-транзисторе  приведена  на  рис. 4,б.  Значения элементов  схемы  и  масштабный  коэффициентN представлены в таблице исходных данных. Семейство  выходных  характеристик  транзистора приведено на  рис.5.
Требуется:1. Построить статическую передаточную  характеристику ключа. 2. Определить основные параметры ключа: уровни  логических  нуля U0  и единицы U1,  логического  перепадаUЛ, минимальные  уровни  отпирающей  и  запирающей  помех U0П   и   U1П,   коэффициент   помехоустойчивости  КП. 3. Описать принцип работы ключа. 
Задача  2.3
Дано: Схема электронного ключа на  комплементарной  паре МДП-транзисторов   приведена   на   рис. 4,в.   Напряжение источника   питания  и  масштабный  коэффициентN  представлены  в таблице  исходных данных. Семейства  выходных  характеристик  активного  (n-канального)   и  нагрузочного (р-канального)  транзисторов приведены  на рис. 5 и 6, соответственно
Требуется:1. Построить статическую передаточную  характеристику ключа. 2. Определить основные параметры ключа: уровни  логических  нуля U0  и единицы U1, логического  перепадаUЛ, минимальные  уровни  отпирающей  и  запирающей  помех U0П   и   U1П,   коэффициент   помехоустойчивости  КП. 3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.  
 ЗАДАНИЕ  3
Дано: На рис. 7  представлены  схемы  различных аналоговых  устройств  на  основе  операционного  усилителя.  Номер  схемы  и  значения ее элементов,  а также  способ напыления  тонких пленок  приведены  для каждого варианта в таблице  исходных данных.  Обозначение выводов и размеры  безкорпусного  операционного  усилителя   приведены на рис. 8.
Требуется: Разработать  топологию  тонкопленочной  гибридной интегральной  схемы,   реализующей   данное   устройства на  основе  безкорпусного  операционного  усилителя, и нарисовать чертеж топологии в масштабе 10:1.

 Скачать ваш вариант контрольной работы