Предметы которые мы выполняем |
|
| | |
Все решенные варианты по ТОЭ по решебнику Бессонова |
|
| | |
|
СПБГУТ Физические основы электроники
Условия задач
Задание 1 Cкачать готовую работу
№
зад.
|
Дано
|
Определить
|
1.1
|
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет NД=1016 см-3,Т=300 К
|
Концентрации основных и неосновных носителей заряда nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn-Ei
|
1.2
|
В полупроводнике n-типа уровень Ферми ЕFnрасположен на0,25 эВ выше середины запрещенной зоны Ei , Т = 300К
|
Концентрации основных и неосновных носителей заряда nn и pn
|
1.3
|
В полупроводнике р-типа концентрация атомов акцепторной примеси составляет NA=1017 см-3, Т = 300 К
|
Концентрации основных и неосновных носителей заряда pp и np и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFp-Ei
|
1.4
|
В полупроводнике р-типа уровень Ферми ЕFpрасположен на 0,25 эВ ниже середины запрещенной зоны Ei, Т = 300 К
|
Концентрации основных и неосновных носителей заряда pp и np
|
1.5
|
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет NД=1017 см-3, Т = 300 К
|
Удельное сопротивление полупроводника rn и его отношение к удельному сопротивлению собственного полупроводника rn/ri
|
1.6
|
Отношение удельного сопротивления полупроводника n-типа к удельному сопротивлению собственного полупро-водника составляет rn/ri=10-3, Т = 300 К
|
Концентрацию атомов донорной примеси NД
|
1.7
|
В полупроводнике p-типа концентрация атомов акцепторной примеси составляет NA=1016 см-3, Т = 300 К.
|
Удельное сопротивление полупроводника rp и его отношение к удельному сопротивлению собственного полупроводника rp /ri .
|
1.8
|
Отношение удельного сопротивления полупроводника p-типа к удельному сопротивлению собственного полупро-водника составляет rp/ri=10-4,Т = 300 К
|
Концентрацию атомов акцепторной примеси NА
|
1.9
|
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, t = 10-6 с
|
Относительное уменьшение концентрации избыточных электронов за время t после выключения внешнего воздействия Dn(t)/Dn(0)
|
1.10
|
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, t = 10-7 с
|
Интервал времени tпосле выключения внешнего воздействия, в течение которого концентрация избыточных электронов уменьшится в К раз
|
1.11
|
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в инжекции в него электро-нов в сечении хр. Диффузионная длина электронов Ln=0,01 см
|
Относительное уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии х от места их введения Dn(х+хp)/Dn(хp)
|
1.12
|
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в инжекции в него электронов в сечении хр. Диффузионная длина электронов Ln=0,002 см
|
Расстояние х, на котором концентрация избыточных электронов уменьшится в К раз
|
1.13
|
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=1020 см-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике t = 10-7 с
|
Избыточную концентрацию электронов Dn
|
Задание 2 Скачать готовую работу
№
зад.
|
Дано
|
Определить
|
2.1
|
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД=1016 см-3 и NA=1015 см-3, T=300 K
|
Контактную разность потенциалов jко и ширину перехода D0 в равновесном состоянии (u=0), а также отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Dn/Dp
|
2.2
|
Удельные сопротивления областей полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны rn=1 Ом×см и rp=10 Ом×см, T=300 K
|
Контактную разность потенциалов jк и ширину перехода D при подаче на переход обратного напряжения u=5 В
|
2.3
|
Контактная разность потенциалов
в резком p-n-переходе jко=0,7 В. Удельная электрическая проводи-мость р-области sр=1 См/см, T=300 K
|
Ширину перехода D0 и отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Dn/Dp
|
2.4
|
Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащих в n- и р-областях Dn/Dp=0,1. Удельная электрическая проводимость р-области sр=10 См/см,T=300 К
|
Контактную разность потенциалов jко и ширину перехода D0 в равновесном состоянии (u=0)
|
2.5
|
Обратный тепловой ток резкого p-n-перехода I0=10-15А, сопротивле-ние тела базы равно r /Б, T=300 K
|
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВАХ p-n-перехода в интервале токов i =0…20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U*. Определить во сколько раз изменится тепловой ток при изменении температуры на DТ
|
2.6
|
Обратный тепловой ток резкого p-n-перехода I0=10-12 А, сопротивле-ние тела базы равно r /Б ,T=300 K
|
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВАХ p-n-перехода в интервале токов i =0…20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U*. Определить смещение прямой ветви ВАХ вдоль оси напряжений Duпри изменении температуры на DТ
|
2.7
|
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях по- лупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1014 см-3. Площадь перехода равна S, T=300 K
|
Обратный тепловой ток перехода I0 и барьерную емкость перехода СБ при подаче на переход обратного напряжения u=5 В
|
2.8
|
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1018 см-3, NA=1016 см-3. Площадь перехода равна S, время жизни неравновесных электронов tn=10-6 с, T=300 K
|
Обратный тепловой ток перехода I0, дифференциальное сопротивление rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе i=10 мА
|
2.9
|
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1018 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, время жизни неравновесных электронов tn=10-6 с, T=300 K
|
Обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость перехода СБ в равновесном состоянии (u=0) и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе i=10 мА
|
2.10
|
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода рав-на S, T=300 K
|
Обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость СБ и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (u=0, i=0)
|
Задание 3 Скачать готовую работу
№
зад. |
Дано
|
Определить
|
3.1
|
Биполярный транзистор n-p-n-структуры включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами: Uэб= - 0,5 B; Uкб=10,0 B
|
Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить, в каком режиме работает транзистор
|
3.2
|
Биполярный транзистор n-p-n–структуры включен по схеме ОЭ. Напряжения между электродами: Uбэ=0,7 B; Uкэ=0,3 B
|
Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и опреде-лить, в каком режиме работает транзистор
|
3.3
|
МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа включен по схеме ОИ. Напряжения между электродами: Uзи= 3,0 B; Uси= 5,0 B;Uпор=1,0 B
|
Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить, в каком режиме работает транзистор
|
3.4
|
МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа включен по схеме ОИ. Напряжения между электродами: Uзи= 5,0 B; Uси= 3,0 B;Uпор= 1,0 B
|
Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить, в каком режиме работает транзистор
|
3.5
|
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, имеющий параметры a, aI, Iэбк, Iкбк, включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами: Uэб= - 0,7 B; Uкб = 5,0 B
|
Определить, в каком режиме работает
транзистор. Определить напряжение Uкэ,
токи iэ, iк, iб
|
3.6
|
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, имеющий параметры b, bI, I0, включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами: Uэб= - 0,7 B; Uкб= - 0,6 B
|
Определить, в каком режиме работает
транзистор. Определить напряжение Uкэ,
ток связи iэ-к
|
3.7
|
Биполярный транзистор p-n-p–структуры, имеющий параметры a, aI,I0, включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами равны: Uэб= 0,7 B; Uкб= - 8,0 B
|
Определить, в каком режиме работает
транзистор. Определить напряжение Uкэ,
токи iэ, iк, iб
|
3.8
|
Биполярный транзистор p-n-p-структуры, имеющий параметры a, aI, Iэбк, Iкбк, включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами равны: Uэб=-5,0 B; Uкб=-10,0 .
|
Определить, в каком режиме работает транзистор. Определить напряжение Uкэ,
токи iэ, iк, iб
|
3.9
|
Биполярный транзистор n-p-n-структуры с коэффициентом передачи тока базы b включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме (Uэп=U*=0,7В). Ток коллектораiк=10 мА, сквозной тепловой ток коллектора Iкэ0=10-12 А, сопротивление тела базыr /Б= 80 Ом
|
Нарисовать эквивалентную схему, соответствующую кусочно-линейной модели транзистора для активного режима. Определить напряжение Uбэ, токи iэ, iб
|
3.10
|
Биполярный транзистор n-p-n–структуры с коэффициентом передачи тока базы b, включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме (Uэп=U*=0,3В). Сквозной тепловой ток коллектора Iкэ0=10-6А, напряжение Uбэ= 0,4 В, сопротивление тела базыr /Б= 60 Ом
|
Нарисовать эквивалентную схему, соответствующую кусочно-линейной модели транзистора для активного режима. Определить токи iэ, iк, iб
|
3.11
|
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, имеющий параметры a, aI, Iэбк, Iкбк, включен по схеме ОЭ, напряжение Uкэ = 5,0 B
|
Используя классическую модель транзистора Эберса-Молла, рассчитать и построить на графике зависимость тока коллектора ikот напряжения uбэ в интервале ik= 0…20 мА
|
3.12
|
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, имеющий параметры a, aI,I0, включен по схеме ОЭ, напряжение Uбэ= 0,7 B
|
Используя передаточную модель транзистра Эберса-Молла, рассчитать и построить на графике зависимость тока коллектора ik от напряжения uкэ в интервале uкэ=0…10 В
|
3.13
|
Полевой n-канальный транзистор с управляющим p-n-переходом имеет минимальное сопротивление канала rк0 = 100 Ом и поро-говое напряжениеUпор= - 4,0 B
|
Рассчитать и построить на графике зависимость тока стока iс от напряжения uзи
|
|
|
Теоретические материалы по ТОЭ |
|
| | |
Примеры решений задач по ТОЭ |
|
| | |
|